| 型号： | NJD35N04G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| NJD35N04G PDF |  |
| 标准包装 | 75 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.5V @ 20mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 2000 @ 2A，2V |
| 功率 - 最大 | 45W |
| 频率 - 转换 | 90MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | NJD35N04G-ND NJD35N04GOS |